《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》结合著者在该领域的研究成果，介绍了获得高质量自支撑GaN单晶的方法。《HVPE法生长自支撑GaN单晶及其性质研究》的研究工作主要有以下四个方面：第2章介绍了V／Ⅲ对GaN晶体质量和光电性质的影响，并对其作用机理进行了分析。随着V／Ⅲ的增加，GaN单晶中的位错密度降低、残余应

本书主要介绍了晶体生长技术及相关晶体缺陷，结合计算流体力学数值模拟和实验研究，系统的从热流体输运、化学反应等方面阐明了晶体生长技术的要点和优化方法。为了读者更系统的了解晶体缺陷的理论和研究方法，本书也详细介绍了分子动力学和第一性原理的研究策略，并应用于晶体缺陷的研究。本书的研究涵盖了宏观和微观的研究方法和理论，把传统的

本书分4篇探讨晶体生长的原理与技术。第一篇为晶体生长的基本原理，分5章对晶体生长的热力学原理、动力学原理、界面过程、生长形态及晶体生长初期的形核相关原理进行论述。第二篇为晶体生长的技术基础，分3章进行晶体生长过程的涉及传输行为(传质、传热、对流)、化学基础问题(材料的提纯与合成问题)以及物理基础(电、磁、力的作用原理)

本书是一本关于成核、晶体生长和外延的经典教科书，也是一本对于材料、物理、电子类专业的高年级本科生、研究生以及相关研究人员、教师的非常有价值的参考书。与该领域同类的书籍相比，本书不但是最早专著之一，而且也是影响力最大的一本。本书没有过多涉及晶体生长和外延的相关基本技术手段，而是集中笔墨介绍了关于晶体生长和外延的热力学和原

本书精选了王静康院士自1965年至今的98篇学术论文，重点论述了工业结晶科学与技术的创新研发及其成果产业转化等方面的代表作，特别是具有自主知识产权的熔融结晶技术、反应结晶集成技术、溶液结晶技术的成功研发及大规模产业化推广，使中国在该领域进一步实现了可持续健康发展。

晶体生长科学与技术(第二版）（上册

铌酸锂晶体是集电光、声光、非线性光学等性能于一身的一种人工晶体材料，《多种新型掺杂铌酸锂晶体的生长和光学性能研究》以多种新型掺杂铌酸锂晶体为研究对象，以铁系列的光折变性能和镱系列的稀土发光性能为主题，总结了作者近五年来在新型掺杂铌酸锂晶体的制备和光学性能方面的新研究成果，尤其是镱钬系列双掺杂铌酸锂晶体的光学性能。《多种

《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第4册）：蒸发及外延法晶体生长技术（影印版）》的主题是气相生长。这一部分提供了碳化硅、氮化镓、氮化铝和有机半导体的气相生长的内容。随后的PartE是关于外延生长和薄膜的，主要包括从液相的化学气相淀积到脉冲激光和脉冲电子淀积。

《Springer手册精选系列·晶体生长手册（第5册）：晶体生长模型及缺陷表征（影印版）》介绍了生长工艺和缺陷形成的模型。这些章节验证了工艺参数和产生晶体质量问题包括缺陷形成的直接相互作用关系。随后的PartG展示了结晶材料特性和分析的发展。PartF和G说明了预测工具和分析技术在帮助高质量的大尺寸晶体生长工艺的设计

多年以来，有很多探索研究已经成功地描述了晶体生长的生长工艺和科学，有许多文章、专著、会议文集和手册对这一领域的前沿成果做了综合评述。这些出版物反映了人们对体材料晶体和薄膜晶体的兴趣日益增长，这是由于它们的电子、光学、机械、微结构以及不同的科学和技术应用引起的。实际上，大部分半导体和光器件的现代成果，如果没有基本的、二