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当前分类数量:330  点击返回 当前位置:首页 > 中图法 【TN3 半导体技术】 分类索引
  • 宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能
    • 宽禁带半导体氧化镓——结构、制备与性能
    • 陶绪堂/2022-9-1/ 西安电子科技大学出版社/定价:¥128
    • 氧化镓作为新型的宽禁带半导体材料,在高压功率器件、深紫外光电器件、高亮度LED等方面具有重要的应用前景。本书从氧化镓半导体材料的发展历程、材料特性、材料制备原理与技术及电学性质调控等几个方面做了较全面的介绍,重点梳理了作者及国内外同行在单晶制备方法、衬底加工、薄膜外延方面的研究成果;系统阐述了获得高质量体块单晶及薄膜的

    • ISBN:9787560664446
  • 氮化物半导体准范德华外延及应用
    • 氮化物半导体准范德华外延及应用
    • 魏同波/2022-9-1/ 西安电子科技大学出版社/定价:¥128
    • 本书以第三代半导体与二维材料相结合的产业化应用为目标,详细介绍了二维材料上准范德华外延氮化物的理论计算、材料生长、器件制备和应用,内容集学术性与实用性于一体。全书共8章,内容包括二维材料及准范德华外延原理及应用、二维材料/氮化物准范德华外延界面理论计算、二维材料/氮化物准范德华外延成键成核、单晶衬底上氮化物薄膜准范德华

    • ISBN:9787560662886
  • 氮化铝单晶材料生长与应用
    • 氮化铝单晶材料生长与应用
    • 徐科/2022-9-1/ 西安电子科技大学出版社/定价:¥108
    • 氮化铝晶体具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势,是制备紫外发光器件和大功率电力电子器件的理想材料。本书以作者多年的研究成果为基础,参考国内外的最新研究成果,详细介绍了氮化铝单晶材料生长与器件制备的基本原理、技术工艺、最新进展及发展趋势。本书共7章,内容包括氮化铝单晶材料的基本性质、缺陷及其生长的物理基础,物理气相传输

    • ISBN:9787560662831
  • 有机电致变色材料与器件
    • 有机电致变色材料与器件
    • 孟鸿/2022-9-1/ 北京大学出版社/定价:¥215
    • 本书聚焦电致变色,系统地总结了有机电致变色研究领域的最新研究成果。全书内容涵盖有机电致变色的发展历程、器件结构与原理、器件性能与测试、材料类型、多功能器件及电致变色器件的应用与展望等,对于全面了解电致变色材料领域的最新研究进展具有重要作用。本书具有以下几个特点:1)介绍了不同的电致变色材料与器件研究方面的发展情况和最新

    • ISBN:9787301334010
  • 胶体量子点发光材料与器件
    • 胶体量子点发光材料与器件
    • 孟鸿/2022-9-1/ 北京大学出版社/定价:¥129
    • 量子点发光二极管(QLED)是显示领域的一种新型材料,因其具有发光效率高、可溶解加工、色域广、制造成本低、响应速度快等优势,备受科研人员关注,有望在商业上获得广泛应用。本书旨在向读者介绍近年来国内外胶体量子点发光材料与器件的进展,全面总结胶体量子点发光二极管器件中各功能层关键材料和器件的设计及优化方案,探讨材料性能、器

    • ISBN:9787301333525
  •  图解入门 功率半导体基础与工艺精讲(原书第2版)
    • 图解入门 功率半导体基础与工艺精讲(原书第2版)
    • 佐藤淳一/2022-9-1/ 机械工业出版社/定价:¥99
    • 本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为10章,包括俯瞰功率半导体工艺全貌、功率半导体的基础知识及运作、各种功率半导体的作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅晶圆、硅功率半导体的发展、挑战硅极限的SiC与GaN、功率半导体制造过程的特征、功率半导体开辟绿色

    • ISBN:9787111713937
  • 薄膜晶体管液晶显示(TFT LCD)技术原理与应用
    • 薄膜晶体管液晶显示(TFT LCD)技术原理与应用
    • 邵喜斌/2022-9-1/ 电子工业出版社/定价:¥168
    • 本书基于作者在薄膜晶体管液晶显示器领域的开发实践与理解,并结合液晶显示技术的最新发展动态,首先介绍了光的偏振性及液晶基本特点,然后依次介绍了主流的广视角液晶显示技术的光学特点与补偿技术、薄膜晶体管器件的SPICE模型、液晶取向技术、液晶面板与电路驱动的常见不良与解析,最后介绍了新兴的低蓝光显示技术、电竞显示技术、量子点

    • ISBN:9787121441646
  • InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管技术
    • InAs/AlSb异质结型射频场效应晶体管技术
    • 关赫著/2022-8-1/ 西北工业大学出版社/定价:¥58
    • 本书共七章,内容包括绪论、InAs/AlSb异质结外延材料特性及工艺、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工艺、InAs/AlSbMOS-HEMTs基础研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪声放大器设计以及总结和展望。

    • ISBN:9787561281253
  • 宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征
    • 宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征
    • 徐士杰/2022-8-1/ 西安电子科技大学出版社/定价:¥128
    • 本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线,按照面向宽禁带半导体前沿课题,注重先进光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征,以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的的原则安排全书内容,从应用基础研究和研发先进光电子器件的角度出发,组织全国在该领域前沿进行一线科研工作的学者进行编写,力争用通俗易懂的语言,由浅

    • ISBN:9787560664293
  • 激光热敏光刻
    • 激光热敏光刻
    • 魏劲松著/2022-8-1/ 清华大学出版社/定价:¥129
    • 激光热敏光刻具有以下特点:1)宽波段光刻,这类光刻胶的吸收光谱一般都覆盖从近红外到极紫外的整个光刻曝光的波段,可以称之为宽波段光刻胶;2)突破衍射极限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光学衍射极限,而是取决于热致结构变化区域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的强度一般呈高斯分布,光斑中心的温度高,沿四周扩散并逐渐降低,

    • ISBN:9787302607458