本书主要介绍了第一性原理及其在计算机模拟中各种参数的设置问题和实际模拟中的参数选择,以及该方法在基于表面改性设计的氮化镓/氮化铟纳米线、氮化镓纳米薄膜等纳米材料在外场(电场或应变场)作用下电学性质和磁学性质研究中的应用,并将材料进一步拓展到外场下表面改性的类石墨烯(锡烯和锗烯等)纳米材料。

功率半导体器件封装技术

本书主要依据作者研究团队及国内外金属有机框架材料（MOFS）与半导体复合材料的研究进展，系统介绍了不同种类的MOFS半导体异质结构制备方法，表征手段，电荷传递路径，在不同污染环境中的催化应用以及光催化性能机理解释。最后，阐述了此类异质结构在工业应用中的未来方向和发展前景。 本书可供从事金属有机框架材料及其光电

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本书就电子装联所用焊料、助焊剂、线材、绝缘材料的特性及使用和选型，针对工艺技术的特点和要求做了较为详细的介绍。尤其对常常困扰电路设计和工艺人员的射频同轴电缆导线的使用问题进行了全面的分析。对于手工焊接的可靠性问题、整机接地与布线处理的电磁兼容性问题、工艺文件的编制、电子装联检验的理念和操作等内容，本书不仅在理论上，还在

以日本碳化硅学术界元老京都大学名誉教授松波弘之、关西学院大学知名教授大谷昇、京都大学实力派教授木本恒畅和企业实力代表罗姆株式会社的中村孝先生为各技术领域的牵头，集日本半导体全产业链的产学研各界中的骨干代表，在各自的研究领域结合各自多年的实际经验，撰写了这本囊括碳化硅全产业链的技术焦点，以技术为主导、以应用为目的的实用型

近年来.以氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目.第三代半导体广泛应用于新一代移动通信、新能源汽车、物联网和国防电子等产业.已成为国际半导体领域的重点研究方向.本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术.内容涵盖垂直型和横向功率半导体

传统软钎料合金在微电子工业中已得到了广泛的应用,然而软钎料合金已经不能满足第三代宽禁带半导体(碳化硅和氮化镓)器件的高温应用需求。新型银烧结/铜烧结技术和瞬态液相键合技术是实现高温器件可靠连接的关键技术,该技术对新能源电动汽车、轨道交通、光伏、风电以及国防等领域具有重要意义。本书较为全面地介绍了当前用于高温环境下的芯片

本书以简洁明了的结构向读者展现了半导体制造工艺中使用的设备基础和构造。全书涵盖了半导体制造设备的现状以及展望，同时对清洗和干燥设备、离子注入设备、热处理设备、光刻设备、蚀刻设备、成膜设备、平坦化设备、监测和分析设备、后段制程设备等逐章进行解说。虽然包含了很多生涩的词汇，但难能可贵的是全书提供了丰富的图片和表格，帮助读者

本书面向世界科技前沿和国家重大需求，针对高效率Ⅲ族氮化物LED芯片设计和制造的关键问题，基于作者在III族氮化物LED外延生长和芯片制造领域十余年的研究基础和产业化经验，融入国内外同行在这一领域的研究成果，从蓝光/绿光/紫外LED外延结构设计与材料生长、水平结构/倒装结构/垂直结构/高压LED芯片设计与制造工艺、LED