氮化铝晶体具有宽带隙、高热导率、高击穿场强等优势，是制备紫外发光器件和大功率电力电子器件的理想材料。本书以作者多年的研究成果为基础，参考国内外的最新研究成果，详细介绍了氮化铝单晶材料生长与器件制备的基本原理、技术工艺、最新进展及发展趋势。本书共7章，内容包括氮化铝单晶材料的基本性质、缺陷及其生长的物理基础，物理气相传输

本书聚焦电致变色，系统地总结了有机电致变色研究领域的最新研究成果。全书内容涵盖有机电致变色的发展历程、器件结构与原理、器件性能与测试、材料类型、多功能器件及电致变色器件的应用与展望等，对于全面了解电致变色材料领域的最新研究进展具有重要作用。本书具有以下几个特点：1）介绍了不同的电致变色材料与器件研究方面的发展情况和最新

量子点发光二极管（QLED）是显示领域的一种新型材料，因其具有发光效率高、可溶解加工、色域广、制造成本低、响应速度快等优势，备受科研人员关注，有望在商业上获得广泛应用。本书旨在向读者介绍近年来国内外胶体量子点发光材料与器件的进展，全面总结胶体量子点发光二极管器件中各功能层关键材料和器件的设计及优化方案，探讨材料性能、器

本书以图解的方式深入浅出地讲述了功率半导体制造工艺的各个技术环节。全书共分为10章，包括俯瞰功率半导体工艺全貌、功率半导体的基础知识及运作、各种功率半导体的作用、功率半导体的用途与市场、功率半导体的分类、用于功率半导体的硅晶圆、硅功率半导体的发展、挑战硅极限的SiC与GaN、功率半导体制造过程的特征、功率半导体开辟绿色

本书基于作者在薄膜晶体管液晶显示器领域的开发实践与理解，并结合液晶显示技术的最新发展动态，首先介绍了光的偏振性及液晶基本特点，然后依次介绍了主流的广视角液晶显示技术的光学特点与补偿技术、薄膜晶体管器件的SPICE模型、液晶取向技术、液晶面板与电路驱动的常见不良与解析，最后介绍了新兴的低蓝光显示技术、电竞显示技术、量子点

本书共七章，内容包括绪论、InAs/AlSb异质结外延材料特性及工艺、InAs/AlSbHEMTs器件特性及工艺、InAs/AlSbMOS-HEMTs基础研究、InAs/AlSbHEMTs器件模型、InAs/AlSbHEMTs低噪声放大器设计以及总结和展望。

本书以宽禁带半导体微结构与光电器件光学表征为主线，按照面向宽禁带半导体前沿课题，注重先进光电器件与材料微结构的基础性质和过程进行光学表征，以提升宽禁带半导体光电子器件性能为目的的原则安排全书内容，从应用基础研究和研发先进光电子器件的角度出发，组织全国在该领域前沿进行一线科研工作的学者进行编写，力争用通俗易懂的语言，由浅

激光热敏光刻具有以下特点:1)宽波段光刻,这类光刻胶的吸收光谱一般都覆盖从近红外到极紫外的整个光刻曝光的波段,可以称之为宽波段光刻胶;2)突破衍射极限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光学衍射极限,而是取决于热致结构变化区域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的强度一般呈高斯分布,光斑中心的温度高,沿四周扩散并逐渐降低,

本书主要介绍了第一性原理及其在计算机模拟中各种参数的设置问题和实际模拟中的参数选择,以及该方法在基于表面改性设计的氮化镓/氮化铟纳米线、氮化镓纳米薄膜等纳米材料在外场(电场或应变场)作用下电学性质和磁学性质研究中的应用,并将材料进一步拓展到外场下表面改性的类石墨烯(锡烯和锗烯等)纳米材料。

功率半导体器件封装技术