《半导体先进封装技术》作者在半导体封装领域拥有40多年的研发和制造经验。《半导体先进封装技术》共分为11章，重点介绍了先进封装，系统级封装，扇入型晶圆级/板级芯片尺寸封装，扇出型晶圆级/板级封装，2D、2.1D和2.3DIC集成，2.5DIC集成，3DIC集成和3DIC封装，混合键合，芯粒异质集成，低损耗介电材料和先进

本书比较全面地介绍了当前表面组装技术(SMT)生产线及主要设备、建线工程、设备选型、基板、元器件、工艺材料等基础知识和表面组装印制电路板可制造性设计(DFM)等内容。全书分为6章，分别是第1章绪论、第2章SMT生产材料准备、第3章SMT涂敷工艺技术、第4章MT贴装工艺技术、第5章MT检测工艺技术、第6章MT清洗工艺技术

本书旨在向材料及微电子集成相关专业的高年级本科生、研究生及从事材料与器件集成行业的科研人员介绍栅介质材料制备与相关器件集成的专业技术。本书共10章，包括了集成电路的发展趋势及后摩尔时代的器件挑战，栅介质材料的基本概念及物理知识储备，栅介质材料的基本制备技术及表征方法；着重介绍了栅介质材料在不同器件中的集成应用，如高κ与

本书介绍了当前主流的光学光刻、先进的极紫外光刻以及下一代光刻技术。主要内容涵盖了光刻理论、工艺、材料、设备、关键部件、分辨率增强、建模与仿真、典型物理与化学效应等，包括光刻技术的前沿进展，还总结了极紫外光刻的特点、存在问题与发展方向。

全书共分为4章，系统阐述了辐射诱导半导体缺陷的相关理论、数值模拟方法、表征技术及应用。空间辐射诱导缺陷是导致电子元器件性能退化的重要原因，然而辐射诱导缺陷的形成、演化和性质与半导体材料本身物理属性、器件类型及结构密切相关。

本书概述了氮化物半导体及其在功率电子和光电子器件中的应用，解释了这些材料的物理特性及其生长方法，详细讨论了它们在高电子迁移率晶体管、垂直型功率器件、发光二极管、激光二极管和垂直腔面发射激光器中的应用。本书进一步研究了这些材料的可靠性问题，并提出了将它们与2D材料结合用于新型高频和高功率器件的前景。本书具有较好的指导性和

超结是功率半导体器件领域的创新的耐压层结构之一，它将常规阻型耐压层质变为PN结型耐压层，突破了传统比导通电阻和耐压之间的硅极限关系（Ron,spVB^2.5），将2.5次方关系降低为1.32次方，甚至是1.03次方关系，被誉为功率半导体器件发展的里程碑。本书概述了功率半导体器件的基本信息，重点介绍了作者在功率超结器件研

本书主要以几种新型的纳米多孔GaN基薄膜为研究对象，系统地介绍了其纳米孔结构的制备及特性研究，为其在光解水、发光器件、柔性器件及可穿戴设备等领域的应用奠定了理论和实验基础。

本书内容包括4部分。第1部分介绍功率半导体器件的分类及发展历程，主要包括功率半导体器件这个“大家族”的主要成员及各自的特点和发展历程。第2部分介绍功率二极管，在传统的功率二极管（肖特基二极管和PiN二极管）的基础上，增加了JBS二极管和MPS二极管等新型单、双极型二极管的内容。第3部分介绍功率开关器件，主要分为传统开关

硅通孔垂直互连技术是实现三维集成电路与微系统的关键核心技术。硅通孔可以有效缩短芯片间的互连距离，提高互连密度，从而实现更大的带宽、更低的功耗和更小的尺寸。本书以作者多年来在垂直硅通孔结构、模型、制造工艺等方面的研究成果为基础，系统全面地介绍硅通孔制备过程中的关键工艺技术，是一本讲述基于硅工艺的三维垂直互连技术的专著。此