本书内容从半导体相关基础知识入手，首先介绍半导体的物理特性，以及与其相关的晶体、原子、能带理论、空穴、掺杂等基本概念；再从晶体管入手，讲述晶体管的结构、工作原理、制备工艺，以及集成电路的相关知识；最后，落地到应用，介绍了半导体器件的使用和具体的应用电路，以及半导体器件参数和等效电路。由于半导体技术涉及材料、微电子、电子

本书内容以实用性为出发点，阐释了氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)半导体的原理、制造工艺、特性表征、市场现状以及针对关键应用的设计方法。针对GaN器件，从材料特性、芯片设计、制造工艺和外特性各方面深入分析，介绍了仿真手段和各种典型应用，最后还介绍了目前主流的技术和GaN公司。

本书针对后摩尔时代集成电路产业日益严重的功耗问题，介绍芯片功耗、工作电压和场效应晶体管亚阈值特性的关系，并通过解析铁电负电容场效应晶体管陡峭亚阈值特性工作机理，阐明铁电负电容场效应晶体管技术对于突破后摩尔时代功耗瓶颈的关键作用。

本书从光刻机到下一代光刻技术，从光刻胶材料到多重图形化技术，全面剖析每一步技术革新如何推动半导体产业迈向纳米级精细加工的新高度。本书共6篇19章，内容包括光刻机、激光光源、掩膜技术、下一代光刻技术发展趋势、EUV光刻技术、纳米压印光刻技术、电子束刻蚀技术与设备开发、定向自组装（DSA）技术、光刻胶材料的发展趋势、化学增

本书首先简要阐述近年来新型瞬态电真空半导体光电子器件内涵、特点、研究意义与国内外发展现状，使读者对新型瞬态电真空半导体光电子器件有一个宏观把握和大致了解:接着对影响新型瞬态电真空半导体光电子器件总体设计方案的多种外界约束条件和性能指标进行分析;然后重点论述新型瞬态电真空半导体光电子器件总体情况与发展趋势，并分别详细论述

本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果，详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章，内容涵盖功率半导体器件基础，SiC二极管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件与Si器件特性对比，双脉冲测试技术，SiC器件的测试

《薄膜晶体管材料与技术》是战略性新兴领域“十四五”高等教育教材体系——“先进功能材料与技术”系列教材之一。本书归纳薄膜晶体管（TFT）材料、器件及制备技术，总结和梳理TFT相关的基础理论知识，包括材料物理与化学、器件物理、工艺原理以及实际应用设计原理，进一步提出新见解，为TFT技术的发展提供理论指导和方向参考。本书以T

氧化镓(Ga2O3)具有超宽禁带和高临界击穿场强，可满足电力电子系统高功率(密度)、高效率和小型化发展需求，在航空航天、智能电网等领域应用前景广阔，但器件受限于高耐压和低功耗的矛盾关系，且当前对大功率器件及其热稳定性研究较少。为此，本论文在Ga2O3器件新结构与热稳定性方面开展理论和实验创新研究。本研究为氧化镓功率器件

本书是一本微电子技术方面的入门书籍，全面介绍了半导体器件的基础知识。全书分为三个部分共19章，首先介绍了半导体基础，讲解了半导体物理方面的相关知识以及半导体制备工艺方面的基本概念。书中阐述了pn结、双极结型晶体管（BJT）和其他结型器件的基本物理特性，并给出了相关特性的定性与定量分析。最后，作者讨论了场效应器件，除了讲

本书提供了在各个工艺及系统层次的半导体存储器现状的全面概述。在介绍了市场趋势和存储应用之后，本书重点介绍了各种主流技术，详述了它们的现状、挑战和机遇，并特别关注了可微缩途径。这些述及的技术包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、非易失性存储器(NVM)和NAND闪存。本书还提及了嵌入式存储器