《信息科学技术学术著作丛书：硅通孔3D集成技术》系统讨论用于电子、光电子和MEMS器件的三维集成硅通孔（TSV）技术的最新进展和未来可能的演变趋势，同时详尽讨论三维集成关键技术中存在的主要工艺问题和可能的解决方案。通过介绍半导体工业中的纳米技术和三维集成技术的起源和演变历史，结合当前三维集成关键技术的发展重点讨论

本书主要讲解了晶硅硅片加工工艺，主要包括单晶硅棒截断、单晶硅棒与多晶硅锭开方、单晶硅块磨面与滚圆、多晶硅块磨面与倒角，多线切割、硅片清洗、硅片检测与包装等。本书根据硅片生产工艺流程，采用任务驱动、项目训练的方法组织教学，以侧重实践操作技能为原则，注重实践与理论的紧密结合，以职业岗位能力为主线突出应用性和实践性。本书适合

纳米半导体具有常规半导体无法媲美的奇异特性和非凡的特殊功能，在信息、能源、环境、传感器、生物等诸多领域具有空前的应用前景，成为新兴纳米产业，如纳米信息产业、纳米环保产业、纳米能源产业、纳米传感器以及纳米生物技术产业等高速发展的源泉与动力。《纳米半导体材料与器件》力求以最新内容，全面、系统阐述纳米半导体特殊性能及其在信息

杨树人、王宗昌、王兢编写的这本《半导体材料(第3版)》是为大学本科与半导体相关的专业编写的教材，介绍了主要半导体材料硅、砷化镓等制备的基本原理和工艺，以及特性的控制等。全书共13章：第1章为硅和锗的化学制备；第2章为区熔提纯；第3章为晶体生长；第4章为硅、锗晶体中的杂质和缺陷；第5章为硅外延生长；第6章为Ⅲ-Ⅴ族化合物

《氮化物宽禁带半导体材料与电子器件》以作者多年的研究成果为基础，系统地介绍了Ⅲ族氮化物宽禁带半导体材料与电子器件的物理特性和实现方法，重点介绍了半导体高电子迁移率晶体管（HEMT）与相关氮化物材料。全书共14章，内容包括：氮化物材料的基本性质、异质外延方法和机理，HEMT材料的电学性质，AlGaN/GaN和InAlN/

本书主要以异质结双晶体管、高电子迁移率晶体管、共振遂穿电子器件、单电子输运器件、量子结构激光器、量子结构红外探测器和量子结构太阳电池为主,比较系统地分析与讨论了它们的工作原理与器件特性,并对自旋电子器件、单分子器件和量子计算机等内容进行了简单介绍。

《有机电子学》从有机电子学的角度，深入浅出地概括总结了有机电子材料中的电子结构与过程，并以此解释了有机固体凝聚态的各种性质。这些性质对实际应用中的有机光电器件的行为起决定性的作用。基于对理论的理解，《有机电子学》紧接着介绍了有机材料性质的测试表征手段以及有机薄膜的制备手段。同时将理论与实践相结合，书中相继介绍和讨论了有

《半导体器件原理简明教程》力图用最简明、准确的语言，介绍典型半导体器件的核心知识，主要包括半导体物理基础、pn结、双极型晶体管、场效应晶体管、金属-半导体接触和异质结、半导体光电子器件。《半导体器件原理简明教程》在阐明基本结构和工作原理的基础上，还介绍了微电子领域的一些新技术，如应变异质结、能带工程、量子阱激光器等。《

《半导体器件物理学习与考研指导》是普通高等教育“十一五”国家级规划教材《半导体器件物理（第二版）》（孟庆巨、刘海波、孟庆辉等编著）的配套教学辅导资料。全书共分为11章，内容包括：半导体物理基础、PN结、双极结型晶体管、金属一半导体结、结型场效应晶体管和金属一半导体场效应晶体管、金属一氧化物一半导体场效应晶体管、电荷转移

本书的主要内容包括：高分辨X射线衍射，光学性质检测分析，表面和薄膜成分分析，扫描探针显微学在半导体中的运用，透射电子显微学及其在半导体研究中的应用，半导体深中心的表征。以上内容包括了目前半导体材料（第三代半导体和低维结构半导体材料）物理表征的实验技术和具体应用成果。限于篇幅，不能面面俱到，所以有些实验技术，如LEED，